Η βιομηχανική παραγωγή των κραμάτων τιτανίου και τιτανίου, είτε τα αποκατασταθέντα αναλώσιμα ηλεκτρόδια, η σφυρηλάτηση κενών ή τα παραμορφωμένα χύτευση, λαμβάνονται κυρίως από τόξο κενού των αναλώσιμων ηλεκτροδίων. Με την ανάπτυξη και την πρόοδο της σύγχρονης τεχνολογίας, η τήξη του τιτανίου και του κράματος τιτανίου, συμπεριλαμβανομένης της τόξου τόξου ηλεκτρικής ενέργειας, έχει αναπτύξει κάποιες νέες προηγμένες τεχνολογίες. Οι αντιπροσωπευτικές τεχνολογίες τα τελευταία χρόνια έχουν ως εξής:
1. Μέθοδος παρασκευής ηλεκτροδίου για την τήξη αυτο-κατανάλωσης κενού του κράματος τιτανίου με υψηλό σημείο τήξης που προστέθηκε απευθείας
Σε κενό από την τόξο της ηλεκτρικής ενέργειας με το ηλεκτρόδιο από κράμα τιτανίου, με βάση τη συμβατική παρασκευή με την άμεση καταστολή ορισμένων αυλακώσεων του μπλοκ ηλεκτροδίων και είναι κατάλληλο για το σχήμα αυλάκων ηλεκτροδίου με μέθοδο ηλεκτροδίων υψηλής τήξης, επιλέγοντας Το κατάλληλο κενό από τη διαδικασία τήξης του τόξου ηλεκτρικής ενέργειας μπορεί να επιτύχει την απαίτηση υπολογισμού αντιστοίχισης, τη σύνθεση ακόμη και τον διαχωρισμό υψηλής ποιότητας.
2, Διαδικασία τήξης αυτο-κατανάλωσης από τιτάνιο και κράμα τιτανίου μετά τη διακοπή της διαδικασίας τόξου
Η διαδικασία τήξης του κενού του κλάδου του κλάδου του τιτανίου και του κράματος τιτανίου μετά τη διακοπή της διαδικασίας τόξου, συμπεριλαμβανομένων των ακόλουθων βημάτων: Όταν η διακοπή του τόξου, το ρεύμα τήξης αυξήθηκε γρήγορα στο 75-80% του κανονικού ρεύματος τήξης, διατηρήστε το ρεύμα τήξης Αυτή τη στιγμή? Όταν η άκρη της λιωμένης πισίνας φτάσει στο τοίχωμα του χωνευτηρίου, κρατήστε το για 2-3 λεπτά και στη συνέχεια σηκώστε γρήγορα το ρεύμα τήξης στο κανονικό ρεύμα τήξης. Το πλεονέκτημα της τεχνολογίας, καθιστά σημαντικά το συνολικό χρόνο έναρξης του τόξου, μειώστε σημαντικά την ψύξη του πλίνου μετά τη συρρίκνωση του όγκου και το τοίχωμα του χωνευτηρίου μεταξύ του χάσματος και αποφύγετε τον σχηματισμό της εσωτερικής συρρίκνωσης της στερεοποίησης της στερεοποίησης: όταν το ρεύμα τήξης φτάνει το 75 έως 80% του Κανονικό ρεύμα τήξης, διατηρήστε το ρεύμα τήγματος για μια χρονική περίοδο, έτσι ώστε να μπορούμε να ελέγξουμε με μεγαλύτερη ακρίβεια το ηλεκτρόδιο και να στερεοποιήσουμε την ταχύτητα τήξης της λιωμένης πισίνας, να αποφύγουμε στιγμιαία μεγάλη ποσότητα τετηγμένου υγρού που ρέει στο χάσμα μεταξύ του ingot και του τοιχώματος Crucible, ή να προκαλέσουν ελαττώματα διαχωρισμού κρύου.
3. Μέθοδος τήξης και ανάκτησης καθαρών αποβλήτων χύδην τιτανίου
Στη μέθοδο τήξης και αποκατάστασης των καθαρών αποβλήτων χύδην τιτανίου, ο φούρνος κρύου κρεβατιού της δέσμης ηλεκτρονίων με έξι πυροβόλα όπλα χρησιμοποιείται για τη φόρτωση των πρώτων υλών επιλεγμένων εξαρτημάτων στον τροφοδότη του κρύου κρεβατιού της δέσμης ηλεκτρονίων για τήξη και στη συνέχεια το ληξιπρόθεσμο ingot ψύχεται και ψήνεται και το τελικό προϊόν μπορεί να ληφθεί. Σε αυτή τη μέθοδο, το ανακυκλωμένο υλικό TA1 χρησιμοποιείται απευθείας για την τήξη, η οποία αποφεύγει τη σύνθλιψη του μπλοκ ηλεκτροδίων παλιοσίδερων και τη συγκόλληση του ηλεκτροδίου. Για την τήξη μονής ingot, μια ενιαία συσκευή μπορεί να λιώσει 9 ράβδους την ημέρα με συνολικό βάρος περίπου 6,5 τόνων. Για τη διπλή τύχη, μια ενιαία συσκευή μπορεί να λιώσει 18 ράβδους την ημέρα με συνολικό βάρος περίπου 13 τόνων, γεγονός που βελτιώνει σημαντικά την αποτελεσματικότητα και την ταχύτητα ανάκτησης
4. ΜΕΘΟΔΟΣ ΑΝΑΚΑΛΥΨΗΣ ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗΣ ΚΑΤΑΡΤΙΣΗΣ ΚΑΤΑΡΤΗΣ
Η μέθοδος ανάκτησης της ακτίνας ηλεκτρονίων με κρύο κρεβάτι της μεθόδου τιτανίου και του κράματος τιτανίου και του τιτανίου έχει ως εξής: Σύμφωνα με τη σύνθεση του λιωμένου Titanium και του Titanium, το Pure Titanium Scrap ή ένα ή δύο από τα παλιοσίδερα καθαρού κράματος τιτανίου και τιτανίου που αναμιγνύονται με σφουγγάρι τιτανίου και τα καθαρά κράμα που προστέθηκαν στοιχεία ή/και ενδιάμεσο κράμα, η προσθήκη ποσότητας καθαρού θραυσμάτων από τιτάνιο και τιτανίου στο μείγμα είναι 10% ~ 90% σύμφωνα με το ποσοστό μάζας. Στη συνέχεια, το μπλοκ ηλεκτροδίων πιέζεται σε ένα μπλοκ ηλεκτροδίων και το μπλοκ ηλεκτροδίων υποβάλλεται σε ένα ενιαίο ψυκτικό κρεβάτι με ακτίνα ηλεκτρονίων σε ένα φούρνο ψυκτικού κρεβατιού με ακτίνα ηλεκτρονίων για να ληφθεί κιβώτιο τιτανίου ή κράματος τιτανίου. Αυτή η μέθοδος μπορεί να παράγει εξειδικευμένα καθαρά κιβώτια τιτανίου από μέχρι και 100% καθαρά θραύσματα τιτανίου ή μέχρι 90% Titanium και Titanium Alloy Scrap και να παράγει ειδικευμένα ιχθυοκαλλιέργεια από κράμα τιτανίου. Μόνο το κρύο κρεβάτι της δέσμης ηλεκτρονίων είναι απαραίτητη για πρωτογενή τήξη, όχι δευτερεύουσα ή τριτοβάθμια τήξη.
5. Μέθοδος τήξης καθαρού τιτανίου και κράματος τιτανίου
Η μέθοδος τήξης του καθαρού τιτανίου και του κράματος τιτανίου, η μέθοδος είναι: σύμφωνα με το σφουγγάρι του τιτανίου ή το καθαρό κράμα που προστίθενται, το ενδιάμεσο κράμα και το σφουγγάρι τιτανίου και το σφουγγάρι τιτανίου ή το καθαρό μίγμα κράματος Το μπλοκ, θα πατηθεί στο ηλεκτρόδιο ηλεκτροδίου ηλεκτροδίου συγκόλλησης, χρησιμοποιώντας ηλεκτρόδιο φούρνου ψύξης ηλεκτρονίων σε ένα κρεβάτι ψύξης της τήξης της δέσμης ηλεκτρονίων, για να ληφθεί καθαρή, ομοιογενή χημική σύνθεση τιτανίου ή κράματος τιτανίου. Ο βαθμός κενού του κρύου κρεβάτι της ακτίνας ηλεκτρονίων είναι μικρότερος από 6 × 10-2pa, η ταχύτητα τήξης είναι 70 ~ 150kg/h, η ισχύς τήξης είναι 100 ~ 300kW. Τα καθαρά στοιχεία προσθήκης κράματος και τα ενδιάμεσα κράματα είναι 0% ~ 20% του συνολικού βάρους του κιβωτίου κράματος τιτανίου. Η χημική σύνθεση του κιβωτίου τιτανίου και του κράματος τιτανίου είναι ομοιόμορφη και η μακροοικονομική δομή του ingot είναι καλύτερη από αυτή του τόξου τόξου κενού χωρίς υψηλά εγκλείσματα σημείων τήξης όπως το κασσίτερο και το WC.
6. Μέθοδος τήξης του κράματος τιτανίου που περιέχει υψηλά στοιχεία κράματος σημείου τήξης
Βιομηχανική παρασκευή κιβωτίων κράματος τιτανίου που περιέχει υψηλά στοιχεία κράματος σημείου τήξης. Επιλέγοντας την πρώτη ύλη του κράματος, χρησιμοποιώντας το μπλοκ ηλεκτροδίων ειδικά συναρμολογημένο, χρησιμοποιώντας τη συμβατική τεχνολογία τήξης τόξου που αναλώσουμε το κενό, ρυθμίζοντας το ρεύμα και την τάση τριών φορές τήξης, το κράμα τιτανίου με ομοιόμορφη χημική σύνθεση και χωρίς ένταξη και συγκέντρωση και συγκράτηση υψηλής τήξης Τα στοιχεία κράματος σημείου παρασκευάστηκαν. Το υψηλό σημείο τήξης που διανέμεται ομοιόμορφα στο αναλώσιμο ηλεκτρόδιο, αναλώσιμο ηλεκτρόδιο βολικό προετοιμασία, χαμηλό κόστος, λογική τήξη ως ρεύμα, παραμέτρους τάσης, με βάση την παραδοσιακή βιοτεχνική διαδρομή, χρησιμοποιώντας μια καθαρή μεταλλική πλάκα χαμηλού κόστους σύμφωνα με τους συγκεκριμένους καταναλωτές ορθογραφικών ηλεκτροδίων Τρόπος, αντί να προσθέσετε το μέσο του υψηλού κόστους του κράματος και του καθαρού μετάλλου για να ενταχθούν σε άλλα κράμα τιτανίου, το κράμα τιτανίου με ομοιόμορφη σύνθεση και υψηλά στοιχεία σημείου τήξης ελήφθησαν με τη χρήση φούρνου τήξης τόξου κενού για πολλές φορές, κάτι που είναι κατάλληλο για το οποίο είναι κατάλληλο για Βιομηχανική εφαρμογή.
7. Προετοιμασία του TC4 Titanium κράμα ingot από το Electron Beam Cold Bed Furnate Melting
Η μέθοδος παρασκευής του κράματος TC4 Titanium Infot από το Electron Beam Cold Bed Furnace Melting έχει ως εξής: Το σφουγγάρι τιτανίου και το αλουμίνιο αναμειγνύονται ομοιόμορφα και πιέζονται σε μπλοκ ηλεκτροδίων, τότε το ηλεκτρόδιο συγκολλείται σε ένα φούρνο τόξου που αναλύεται κενού και το Ti και το TI -AI Το ενδιάμεσο κράμα λαμβάνεται με μία τήξη. Το ενδιάμεσο κράμα TI-AL χωρίζεται σε σωματίδια ενδιάμεσης κράματος TI-AL. Το σφουγγάρι τιτανίου, το ενδιάμεσο κράμα Al-V και τα ενδιάμεσα σωματίδια κράματος TI-AL αναμίχθηκαν ομοιόμορφα και πιέζονταν σε μπλοκ ηλεκτροδίων, τα οποία συνδυάστηκαν σε ηλεκτρόδια και τοποθετήθηκαν σε φούρνο κρύου κρεβατιού δέσμης ηλεκτρονίων και ελήφθησαν από πρωτεύοντα τερματισμό TC4. . Μεταξύ του κράματος Ti -al αντί των φασολιών αλουμινίου, μείωσε τα στοιχεία του AL που μεταφέρει την ποσότητα, τη βελτίωση του ποσοστού χρησιμοποίησης των πρώτων υλών και τη χρήση της απόδοσης του κλιβάνου δοκού της δέσμης ηλεκτρονίων, της χρήσης ενός κλιβάνου ψύξης ηλεκτρονίων δοκού ψύξης στο κόστος επεξεργασίας τιτανίου και να βελτιώσει την αποδοτικότητα της παραγωγής με τα πλεονεκτήματα των ισχυρότερων και μπορεί να βελτιώσει την καθαριότητα του χύτευση με κράμα τιτανίου, την πρόσβαση στην ποιότητα της χύτευσης του ingot.